根据The Elec报道，三星电子与三星先进技术研究所近期成功开发出一款创新晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM芯片，有望解决移动内存进一步微缩所面临的核心物理难题，为未来电子产品带来更高容量和更强性能的内存解决方案。

随着半导体工艺向更先进节点发展，传统DRAM制程在进入10纳米以下尺度后，由于物理极限的存在而面临严峻挑战。三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”具有优异的高温稳定性，即使在高达550摄氏度的环境下仍能保持稳定工作性能，从而满足先进制造工艺的热负荷要求。

该晶体管采用垂直沟道结构设计，沟道长度仅为100纳米，并可与单片CoP（Chip on Peripheral）DRAM架构实现集成。测试数据表明，该晶体管不仅漏极电流表现稳定，在长期老化测试中也展现出良好的可靠性。

目前，该技术仍处于研发阶段，三星计划将其应用于未来代号为“0a”与“0b”等更高密度的DRAM产品中。预计这项创新将有助于三星在高密度存储市场中持续保持技术领先，最早有望从2026年起在相关终端设备中逐步落地。